韓國券商警告:三星電子和SK海力士內存庫存降至不足10天供應量
①韓國券商KB Securities警告,三星電子、SK海力士存儲半導體庫存不足10天,明年可用供應或耗盡; ②其補充稱,HBM4量產擠佔傳統DRAM產能,明年DRAM和NAND需求預計超供應10個百分點以上; ③分析師認爲兩家公司股票目前被嚴重低估,盈利將連續三年創歷史新高。
高盛喊出「還能漲80%」!AI存儲芯片週期遠未結束,Kospi目標12000點
高盛策略師堅持其對韓國股市的看漲目標,認爲投資者低估了AI對存儲芯片製造商的提振效應。他維持對基準Kospi指數12000點的目標位——意味着較當前水平仍有近80%的上漲空間。
Micron和SanDisk股價反彈,因投資者押注人工智能熱潮及低廉估值
過去五週,頂級內存股已反彈回升,因投資者逢低買入,押注人工智能熱潮將持續。Micron(納斯達克代碼:MU)已躍升至$1,016,較此前上漲40%。
AI下一輪贏家浮現?PIMCO避開美股巨頭,重押亞洲「賣鏟人」
相比估值高企的美國科技巨頭,亞洲半導體、數據中心基礎設施等AI供應鏈正受到更多關注。
三星與Arm聯手殺入端側AI!2nm定製芯片啓動,OpenAI或成關鍵客戶
三星電子與Arm合作,基於2納米制程開發定製端側AI芯片,Arm提供技術,三星負責設計及量產,最終客戶或爲OpenAI。該項目有助於三星形成「設計+製造」一體化方案,提升其系統LSI和晶圓代工協同競爭力,並積累先進製程服務AI客戶的經驗,助力開拓定製AI芯片市場。
美光HBM產能年底前有望翻倍,追趕三星、SK海力士步伐
美光科技計劃在今年年底前將HBM月產能大幅提升至約10萬片晶圓,較去年接近翻倍,以此縮小與SK海力士和三星電子的產能差距。公司正加速量產面向英偉達「Vera Rubin」架構的HBM4 12層產品,預計其產能佔比將在年底提升至50%,力圖打破當前18%市場份額的偏後格局。
Dorian LPG宣佈與Hanwha Ocean達成協議,建造三艘90,000立方米雙燃料巴拿馬型超大型液化石油氣運輸船(VLGC),總價約爲$3.45億,計劃於2030年6月、9月和12月交付
Dorian LPG宣佈與Hanwha Ocean達成協議,建造三艘90,000立方米雙燃料巴拿馬型超大型液化石油氣運輸船(VLGC),總價約爲$3.45億,計劃於2030年6月、9月和12月交付
美光和閃迪落後於科技股漲勢,因中國搶佔內存市場份額
美光科技公司(納斯達克代碼:MU)和SanDisk Corp.(納斯達克代碼:SNDK)週四下跌,儘管科技股普遍上漲,因最新數據顯示中國存儲器製造商正迅速搶佔全球市場份額。
韓國電力向三星、SK海力士要求預付25萬億韓元電費
韓國電力公社尋求將未來電費收入提前變現,以解決電網擴張資金缺口。方案要求三星電子和SK海力士預付合計25萬億韓元(約181億美元)的電費,覆蓋未來五年用電需求。三星電子被要求預付20萬億韓元,SK海力士爲5萬億韓元。
韓國緊急回應美國半導體關稅計劃:竭盡全力確保不損害韓企利益
韓國總統府9月3日就美國商務部正在研擬的半導體關稅方案作出回應,強調相關具體方案尚未最終確定,首爾將竭盡全力確保相關措施不損害韓國企業利益。此前一天,美國商務部長盧特尼克披露,特朗普政府正在制定一項新的半導體關稅政策:在美國本土生產的芯片享受關稅豁免,否則須爲進入美國市場付出代價。
快訊 | 韓國總統府:政府將爭取防止美半導體關稅相關舉措給韓企帶來不利影響
韓國總統府青瓦臺3日對美國商務部部長霍華德·盧特尼克提及的半導體關稅相關表述表示,具體內容尚未敲定,政府將爭取防止相關舉措給韓企帶來不利影響。青瓦臺相關人士當天作出如上表述,並表示,政府將密切關注相關動向,與美方保持緊密溝通,保障韓國企業不受影響。據悉,盧特尼克於當地時間2日在接受美國消費者新聞與商業頻道(CNBC)採訪時表示,將實施謹慎且具有針對性的半導體關稅措施,把對美國半導體投資和關稅掛鉤。若在美國境內生產(半導體),將獲關稅豁免,否則就得爲付出代價(關稅)做好準備。
韓國萬億美元主權 AI 投資:英偉達勝出,海力士承壓
韓國正將人工智能上升爲國家戰略,押注規模之大令市場側目。但在這場舉國競賽中,誰將真正受益,答案遠比表面複雜。韓國政府今年7月宣佈,計劃投資9190億美元、到2029年建成8.4吉瓦數據中心算力,最終在2035年將總規模擴張至18.4吉瓦。這一計劃將爲英偉達打開龐大的主權AI市場,SK集團已承諾採購2吉瓦Rubin系統,Naver亦簽署200兆瓦訂單。然而,這對三星和SK海力士而言,並非單純的利好。
報道:SK海力士擬深化與鎧俠合作,考慮在日本建NAND芯片廠
SK集團正考慮在日本建設NAND工廠,並與鎧俠深化合作,雙方可能聯合生產。若合作落地,SK海力士與鎧俠的NAND市場份額合計將超三星電子,全球競爭格局或生變。同時,SK海力士計劃將HBM領先優勢轉化爲拓展存儲市場的動力,並參與開發高帶寬閃存(HBF)技術。此外,SK也在探索收購日本半導體材料企業,擴大產業鏈佈局。
韓國做主權 AI,爲什麼先利好英偉達,不是海力士?
來源:律動BlockBeats主權資本入場,平台鎖定比本土敘事更先兌現韓國政府計劃在韓國投資公社(KIC)下設新戰略帳戶,規模至少 20 萬億韓元,投向 AI、數據中心、半導體、機器人和國防等長期投資,目標是在 2027 年啓動,相關法案仍需國會通過。這本來像一條產業政策新聞。韓國把芯片景氣帶來的財政空間,重新投入下一輪 AI 基礎設施。但 SemiAnalysis 給出更尖銳的判斷。韓國這輪「主
SK海力士硅晶圓採購環比暴增104%:AI存儲軍備競賽下的「搶糧」與漲價博弈
SK海力士2026年Q2硅晶圓採購金額環比暴增104%,遠超三星,核心邏輯在於提前鎖定原料、對沖漲價風險,併爲HBM及先進DRAM擴產備料。與此同時,SK海力士默許核心設備供應商提價3%-4%,終結五年降價慣例。
三星公佈下一代存儲路線圖:HBM5性能爲HBM4E的2倍,zHBM加速性能提升8倍
HBM5基礎芯片製程升至2納米,目標是在性能上達到HBM4E的兩倍,單瓦性能提升20%,同時將熱阻降低20%,預計2028年量產。全新架構的zHBM,目標性能爲HBM4E的8倍,單瓦性能提升3倍,熱阻降幅達75%至90%,預計在2029年之後推出。
存儲「狂歡」進入下半場?DRAM、NAND價格續創新高,但漲勢有所放緩
①今年8月全球DRAM與NAND閃存平均價格再創歷史新高,但環比漲幅較7月收窄:DRAM環比漲4.2%,NAND環比漲1.4%。 ②第三季度PC DRAM合約價環比漲幅預期上調至18%-23%,漲幅較二季度回落。
高盛:存儲價格仍處上行通道,維持三星、SK海力士買入評級
①PC DRAM漲幅超預期,三季度價格預計環比上漲18%—23%,現貨價格仍明顯高於合約價; ②AI數據中心需求推動服務器DRAM與HBM產能優先級提升,傳統存儲供給擴張因此受到限制; ③移動DRAM漲價明顯降溫,但NAND仍保持較高漲幅,供給約束繼續支撐2027年價格。
快訊 | 韓國8月出口繼續強勁增長 AI需求推動芯片熱潮
韓國8月出口繼續強勁增長,人工智能(AI)需求提振芯片出貨乃至整體經濟,料支持韓國央行在連續兩次加息後維持鷹派立場。韓國海關週二公佈的數據顯示,經工作日差異調整後,8月出口同比增長72.5%,進口增長22.5%,貿易順差達到347億美元。未經調整的出口增長68.7%,7月增幅經修正後爲63%。半導體仍是韓國出口增長的主要動力。數據顯示,儘管能源價格上漲和地緣政治緊張局勢對其他行業構成壓力,但外部需求依然具有韌性,支持韓國央行上週連續第二次會議加息25個點子。
HBM現貨價格飆至長協五倍:HBM4良率承壓,長協鎖產擠壓現貨供給
①AI加速器所用的HBM等DRAM產品價格飆升,三星電子與SK海力士已難以跟上市場需求; ②HBM4向英偉達等大客戶放量,其良率低於HBM3E,生產中消耗更多DRAM,加重整體短缺; ③現貨價大幅脫離長協:36GB的HBM3E現貨售價2100美元,爲長協價的四到五倍。