非農「嚇退」美股大盤,AI硬件卻逆勢狂飆!半導體指數漲超3%,閃迪暴漲12%
聯儲局加息前景壓制的是整體估值和部分軟件成長股,AI算力、存儲和數據中心互聯需求的產業邏輯暫時未被利率預期破壞。存儲芯片股SK海力士收漲超8%,光通信股Coherent漲6.6%。市場人士稱,芯片股週五強勢與非農數據「零關係」,更主要是持續進行中的半導體與軟件之間的輪動。
機構:全球DRAM第二季度市場規模環比增長55.9% 創歷史新高
人民財訊9月4日電,據CFM閃存市場數據,2026年二季度全球DRAM市場規模1470.24億美元,環比增長55.9%,創歷史新高。原廠二季度響應服務器市場的強勁需求,繼續擴大服務器DRAM、HBM等高附加值產品銷售,相對於第一季度服務器、PC DRAM ASP環比翻倍增長,二季度漲幅放緩至40%—50%區間。有利的定價環境推動原廠DRAM價格持續走強,整體實現量價齊升,從而帶動原廠二季度銷售收入
每百萬Token跌破1美元!高盛:「量升價崩」動搖AI資本開支邏輯
高盛最新報告顯示,衡量AI推理定價的SDLLMTK指數8月單月暴跌29%,首次跌破每百萬Token 1美元關口,較高點累計腰斬。標價下調、用戶向低成本開源模型遷移、競爭加劇與本地推理令每Token定價模式遭遇結構性侵蝕,量升價跌的剪刀差正瓦解"更多Token等於更多收入"的核心敘事。
「Token跌穿一美元」的圖表刷屏全網,實際情況卻是:傑文斯悖論疊加RSI,AI需求越降價越炸裂
ZeroHedge援引的高盛Delta One交易台便箋,提出的是一個條件性壓力測試,而不是「全球算力已經過剩」的事實判斷。
$1000 若在15年前投資Rambus,今天將價值這麼多
過去15年,Rambus(納斯達克代碼:RMBS)的年化表現超出市場1.09%,實現了平均每年14.57%的回報率。目前,Rambus的市值爲$
內存砍下的成本給網絡!機構給英偉達Rubin Ultra降配算了一筆賬
①英偉達降低了Rubin Ultra的HBM顯存規格:從HBM4E 12-Hi降至HBM4 8-Hi; ②SemiAnalysis指出,在採取降配方案後,HBM成本降低了50%以上; ③英偉達內部AI硬件價值重心正發生遷移:不再一味追求單卡HBM顯存堆料,轉而依靠大規模集群互聯。
科技巨頭轉型廢品回收?谷歌正在從退役服務器中拆出DDR4使用
①內存短缺背景下,谷歌通過拆解退役服務器回收DDR4組件,開發軟硬件方案突破內存瓶頸; ②高盛預計Q3內存價格將進一步上漲,另有數據顯示,8月DDR4 8GB現貨價格上漲至142美元; ③谷歌已推出優化內存的定製芯片,但回收DDR4的舉措表明,內存短缺仍是行業的關鍵瓶頸。
SK海力士硅晶圓採購環比暴增104%:AI存儲軍備競賽下的「搶糧」與漲價博弈
SK海力士2026年Q2硅晶圓採購金額環比暴增104%,遠超三星,核心邏輯在於提前鎖定原料、對沖漲價風險,併爲HBM及先進DRAM擴產備料。與此同時,SK海力士默許核心設備供應商提價3%-4%,終結五年降價慣例。
三星公佈下一代存儲路線圖:HBM5性能爲HBM4E的2倍,zHBM加速性能提升8倍
HBM5基礎芯片製程升至2納米,目標是在性能上達到HBM4E的兩倍,單瓦性能提升20%,同時將熱阻降低20%,預計2028年量產。全新架構的zHBM,目標性能爲HBM4E的8倍,單瓦性能提升3倍,熱阻降幅達75%至90%,預計在2029年之後推出。
高盛:半導體五大關鍵辯論
當超大規模雲廠商持續加碼資本開支,AI算力需求從訓練向推理、Agentic AI等新場景擴散,投資者開始尋找下一個關鍵答案:這一輪AI基礎設施週期還能持續多久?哪些環節將繼續受益?9月8日至11日,高盛將在舊金山舉辦Communacopia暨科技大會,32家來自數字/AI芯片、EDA軟件、模擬半導體、半導體設備、存儲及IT服務等領域的全球公司將參與。高盛分析師圍繞本次大會梳理出五大核心辯題,涵蓋
存儲「狂歡」進入下半場?DRAM、NAND價格續創新高,但漲勢有所放緩
①今年8月全球DRAM與NAND閃存平均價格再創歷史新高,但環比漲幅較7月收窄:DRAM環比漲4.2%,NAND環比漲1.4%。 ②第三季度PC DRAM合約價環比漲幅預期上調至18%-23%,漲幅較二季度回落。
成交額TOP20 | 閃迪尾盤爆拉5%,正式納入MSCI全球指數;特斯拉漲逾5.5%,在港澳推出平價版Model 3;美國FTC起訴亞馬遜操縱廣告價格
週一美股成交額第1名收漲5.50%,成交353.92億美元。8月12日,面向全球投資機構提供核心決策支持工具與服務的領先供應商明晟公司(MSCI,紐交所代碼:MSCI),公佈2026 年 8 月 MSCI 股票指數季度調整結果。本次所有指數調整將於2026 年 8 月 31 日收盤後正式生效。
HBM現貨價格飆至長協五倍:HBM4良率承壓,長協鎖產擠壓現貨供給
①AI加速器所用的HBM等DRAM產品價格飆升,三星電子與SK海力士已難以跟上市場需求; ②HBM4向英偉達等大客戶放量,其良率低於HBM3E,生產中消耗更多DRAM,加重整體短缺; ③現貨價大幅脫離長協:36GB的HBM3E現貨售價2100美元,爲長協價的四到五倍。
美股存儲概念局部強勢 閃迪漲2.73% 瑞穗重申對主要存儲器廠商「跑贏大盤」評級
金吾財訊 | 美股存儲概念局部強勢,截至發稿,閃迪(SNDK)漲2.73%,SK海力士(SKHY)漲2.23%,Rambus(RMBS)漲1.91%,美光科技(MU)漲1.13%,慧榮科技(SIMO)漲0.27%。消息面上,Gartner預計,全球半導體收入將在2026年激增92%,達到約1.6萬億美元。該公司預計內存收入將從2025年的2,201億美元飆升至2026年的8,373億美元,並在20
分析師看好這些科技股:Rambus(RMBS)、Aviat Networks(AVNW)
威廉博萊維持Rambus(RMBS.US)買入評級
威廉博萊分析師Sebastien Naji維持$Rambus(RMBS.US)$買入評級。根據TipRanks數據顯示,該分析師近一年總勝率為75.0%,總平均回報率為40.3%。提示: TipRanks為獨立第三方,提供金融分析師的分析數據,並計算分析師推薦的平均回報率和勝率。提供的信息並非投資建議,僅供参考。本文不對評級數據和報告的完整性與準確性做出認可、聲明或保證。TipRanks提供每位
長鑫官宣:LPDDR6內存量產
8月29日,長鑫存儲發佈消息,長鑫LPDDR6內存正式量產。
供給極度緊張+傳統旺季,美銀:9月存儲現貨還會繼續漲
美國銀行預計,受存儲供給短缺與消費旺季疊加影響,9月DRAM、NAND現貨價格仍有10%至20%上漲空間。三星、SK海力士、美光產能優先保障AI客戶,渠道供給滿足率不足50%。英偉達強勁增長指引進一步強化存儲需求預期,行業景氣度有望持續。
SK海力士CEO預計存儲芯片短缺將持續至2030年
①SK海力士CEO郭魯正稱,其美國印第安納州新工廠建成後到2030年將使該州成美國關鍵HBM生產基地,當前HBM供應短缺將持續至2030年底; ②郭魯正透露SK海力士在美封裝廠首座潔淨室2028年10月啓用,到2030年其在美投資及資產總額預計超450億美元。
快訊 | SK海力士(SKHY.O)CEO:沒有看到任何顯著的內存市場下滑信號。預計內存短缺將持續到2030年底。